De acordo com artigo publicado no periódico Nature Materials, cientistas da Universidade de Pequim, na China, podem ter encaminhado mais um passo na revolução dos chips, componentes essenciais de processamento da computação, telecomunicação e automação, e os principais "ativos" do atual estágio da guerra tecnológica travada entre as maiores potências produtoras de Inteligência Artificial.
De acordo com os cientistas, um novo modelo de chip transistor (composto por transistores microscópicos que trabalham juntos para processar informações e executar operações eletrônicas), feito de material 2D e desenvolvido no laboratório de física da Universidade, funcionaria de forma até 40% mais rápida em comparação aos modelos mais avançados de chip de até 3 nanômetros da Intel, norte-americana do Vale do Silício, e da TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company), multinacional de origem taiwanesa especializada em semicondutores.
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Esses microprocessadores são usados, por exemplo, para possibilitar que computadores realizem milhões de operações complexas por segundo, no processamento de grandes bases de dados.
Descrito como o "transistor mais rápido e eficiente de todos os tempos", o novo chip, que incorpora materiais 2D, foi dito um "atalho" revolucionário para a indústria de semicondutores, e, em testes, afirma ter superado as melhores performances de outros chips da Intel, da TSMC, da Samsung e do Centro Interuniversitário de Microeletrônica da Bélgica.
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Enquanto transistores comuns são feitos com silício, tendo como maior dificuldade a garantia de uma boa eficiência energética sob seu tamanho extremamente reduzido (na escala dos nanômetros), o novo chip chinês usa, ao invés de silício, materiais feitos à base de bismuto — metal pesado pertencente ao grupo 15 da tabela periódica, cujas propriedades únicas o tornam altamente resistente à corrosão e o dão propriedades diamagnéticas superiores, isto é, fazem com que seja capaz de repelir campos magnéticos.
Os pesquisadores notam como dificuldades no desenvolvimento de novas tecnologias as "atuais sanções" do setor tecnológico impostas à China pelo governo norte-americano, que restringem a importação de componentes tecnológicos sensíveis essenciais à produção de semicondutores.
Mas a superação das sanções se provou no avanço, por parte da Universidade de Pequim, no uso da tecnologia GAAFET (Gate-all-around), que define um tipo mais avançado de transistor usado em semicondutores, considerado um passo adiante na evolução dos transistores baseados na tecnologia mais comum, FinFET — considerada a tecnologia padrão da indústria de semicondutores desde 2021, nota a Interesting Engeneering.
O novo chip chinês, feito de materiais à base de bismuto e com tecnologia GAAFET, nasceu como alternativa e superação dos chips de silício e da tecnologia FinFET, e e sua interface de bismuto promete "tornar mais fácil o movimento dos elétrons", o que garantiria sua rapidez superior.
Descrito como "a próxima geração de chips", ele é capaz de "reduzir a dispersão dos elétrons", permitindo que fluam "quase sem resistência", como água passando por um cano liso, explica ao China Morning Post o professor Peng, da Universidade de Pequim, que participou do desenvolvimento do chip.
A tecnologia se provou 1.4 vez mais rápida em comparação aos chips mais avançados de silício quando testados a até 90% de seu consumo energético, explica o artigo.
